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簡要描述：VIGO紅外探測器-包括2、3、4級(jí)半導(dǎo)體制冷和非制冷探測器；探測器的波長響應(yīng)范圍包括短波、中波及長波，最遠(yuǎn)可到16微米；探測靈敏度可接近環(huán)境噪聲限。
產(chǎn)品型號(hào)：PV, PC, PVM, PEM, PVA廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時(shí)間：2024-10-30訪 問 量：5159詳細(xì)介紹
| 品牌 | VIGO PHOTONICS | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,能源,電子,綜合 | 響應(yīng)波長： | 2-14微米 |
| 探測率： | 可達(dá)1.0E+11 | 電流響應(yīng)率： | 可達(dá)1.5安/瓦 |
| 品牌 | VIGO PHOTONICS | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,能源,電子,綜合 | 響應(yīng)波長： | 2-14微米 |
| 探測率： | 可達(dá)1.0E+11 | 電流響應(yīng)率： | 可達(dá)1.5安/瓦 |
波蘭 VIGO System 公司是生產(chǎn)紅外探測器及配套偏置和前置放大電路的專業(yè)公司, 該公司具有包括MOCVD和MBE的完整紅外探測器生產(chǎn)線, VIGO紅外探測器從MCT和III-V族（InAs、InAsSb）材料晶體生成、半導(dǎo)體襯底片（Wafer）、探測器、偏置電路及前置放大器全部自主生產(chǎn)；芯片上生長的浸沒透鏡可把探測靈敏度提高10倍左右；VIGO 紅外探測器 的波長響應(yīng)范圍包括短波、中波及長波，最遠(yuǎn)可到16微米。
波蘭 VIGO System 公司還可以提供專門針對(duì)VIGO紅外探測器一對(duì)一設(shè)計(jì)的前置放大電路，這種前置放大器可以優(yōu)化探測器性能，使得探測裝置可以獲得更佳的探測率D*和響應(yīng)率Ri。公司提供的前置放大器包括標(biāo)準(zhǔn)的、可編程調(diào)節(jié)增益帶寬的、高速、寬帶寬以及小型等多種型號(hào)；其中采用四級(jí)制冷光浸沒光伏探測器PVI-4TE-5構(gòu)成的的LabM-I-5PLUS探測裝置，靈敏度可接近環(huán)境噪聲限（Near-BLIP）。另外，公司還提供了3種型號(hào)的制冷控制器，方便用戶根據(jù)用途選配。探測
北京北埃特光電子技術(shù)有限責(zé)任公司自2001年起就作為波蘭VIGO System公司的正式授權(quán)代理，在大中華區(qū)域推廣和銷售波蘭VIGO System公司的以紅外探測器為基礎(chǔ)的全產(chǎn)品線產(chǎn)品，對(duì)VIGO System公司的產(chǎn)品有深刻全面的了解，可以為用戶在選型、定制等售前售中售后服務(wù)中為用戶提供全面的優(yōu)良的服務(wù)。
所有產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)下載PDF附件
下面是幾種典型的探測器參數(shù)：
碲鎘汞PCI光導(dǎo)光浸沒型長波
參數(shù) 型號(hào) | 波長響應(yīng)范圍 | 峰值波長 | 峰值探測率D* cmHz1/2/W(20kHz) | 峰值響應(yīng)率 Ri | 時(shí)間常數(shù)τ | 1/f噪聲拐點(diǎn) |
PCI-4TE-10.6 | 2.0-12.5μm | 9.5±0.6μm | 4.1×109 | 0.7 A/W | 30ns | 20 kHz |
PCI-4TE-13 | 2.0-14μm | 10.4±0.6μm | 2.4×109 | 0.5 A/W | 6ns | 20 kHz |
碲鎘汞PVI光伏光浸沒型中波探測器
參數(shù) 型號(hào) | 波長響應(yīng)范圍 | 峰值波長 | 峰值探測率D* cmHz1/2/W(20kHz) | 峰值響應(yīng)率 Ri | 時(shí)間常數(shù)τ | 動(dòng)態(tài)電阻 |
PVI-2TE-6 | 2.6-7.0μm | 5.2±0.2μm | 8.0×1010 | 2.5 A/W | 50 ns | ≥300 Ω |
碲鎘汞光伏電多結(jié)PVMI、PVMQ（四象限）
參數(shù) 型號(hào) | 波長響應(yīng)范圍 | 峰值波長 | 峰值探測率D* cmHz1/2/W(20kHz) | 峰值響應(yīng)率 Ri A/W | 時(shí)間常數(shù)τ | 動(dòng)態(tài)電阻 |
PVMI-4TE-10.6 | 2.0-12μm | 9.0±1.0μm | 3.0×109 | 0.36 | ≥120 Ω | |
PVMQ-10.6 1 mm×1mm×4 | 2.0-12μm | 8.5±1.0μm | 2.0×107 | 0.004 | 1.5 ns | ≥30 Ω |
III-V族材料（InAs、InAsSb）光伏型
（符合歐盟RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)）
參數(shù) 型號(hào) | 波長響應(yīng)范圍 μm | 峰值波長 μm | 峰值探測率D* cmHz1/2/W(20kHz) | 峰值響應(yīng)率Ri A/W | 時(shí)間常數(shù)τ ns | 動(dòng)態(tài)電阻Ω | ||||
最小值 | 典型值 | 最小值 | 典型值 | 典型值 | 最大值 | 最小值 | 典型值 | |||
2.0-5.9 | 1.0×109 | 3.0×109 | 0.06 | 0.16 | 30 | 160 | 150 | 450 | ||
PVMA-1TE-6 | 2.0-6.6 | 4.4±0.5 | 1.4×109 | 4.3×109 | 0.08 | 0.18 | 40 | 200 | 300 | 800 |
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